#海思Kirin 9030
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制裁下的華為晶片：性能持平三年前Android旗艦！

半導體分析機構SemiAnalysis近日發佈首份來自其新設拆解實驗室的深度報告，對像是華為Mate 80系列搭載的海思Kirin 9030處理器。該晶片基於中芯國際（SMIC）N+3工藝製造，是SMIC第三代7nm級製程。拆解發現，其最小局部金屬間距為32.5nm，優於英特爾18A工藝在Panther Lake晶片上採用的36nm間距。 然而，金屬間距的領先並未轉化為整體密度優勢。SemiAnalysis測算，N+3工藝的電晶體密度為每平方毫米1.134億個，僅略高於台積電成熟N6工藝的1.077億個，但落後英特爾18A高密度庫38%。18A工藝雖然選擇了更寬鬆的金屬間距，但借助GAA RibbonFET電晶體和背面供電技術（PowerVia），仍實現了顯著的密度優勢。 SMIC在不使用極紫外（EUV）光刻裝置的情況下，依靠深紫外（DUV）工具和四重圖案化技術達到32.5nm間距，代價是額外的掩模和刻蝕步驟帶來的複雜性和成本上升。N+3工藝採用了每電晶體雙鰭、有源柵極上直接觸點接觸、單元間單擴散中斷等密度最佳化手段。 性能方面，Kirin 9030 Pro的大核心主頻為2.75GHz，每時鐘性能接近Arm 2021年時期的Cortex-X2，整體性能與三年前的Android旗艦相當，落後於蘋果、高通、聯發科和三星的當前產品。華為的路線圖顯示其目標是在2031年前達到5GHz，但SemiAnalysis指出，這“遠超單純平面微縮所能實現的範圍”。
制裁下的華為晶片：性能持平三年前Android旗艦！
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